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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC857BQ-7-F
BC857BQ-7-F Image
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BC857BQ-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BC857BQ-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BC857BQ-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BC856AQ – BC857BQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1913700

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Anzahl

Spezifikation

BC857BQ-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BC857BQ-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BC857BQ-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 310 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BC857BQ-7-F.

Produkteigenschaften BC857BQ-7-F BC857BLP4-7 BC857BLP-7 BC857BLT1G
Artikelnummer BC857BQ-7-F BC857BLP4-7 BC857BLP-7 BC857BLT1G
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Leistung - max 310 mW 250 mW 250 mW 300 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-XFDFN 3-UFDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 200MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 X2-DFN1006-3 X1-DFN1006-3 SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
Grundproduktnummer BC857 BC857 BC857 BC857
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BC857BQ-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie BC857BQ-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BC857BQ-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
BC856AQ – BC857BQ.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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BC857BQ-7-F

Diodes Incorporated
32D-BC857BQ-7-F

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