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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMC2004DWK-7
DMC2004DWK-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMC2004DWK-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMC2004DWK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMC2004DWK-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMC2004DWK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 226100

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Anzahl

Spezifikation

DMC2004DWK-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMC2004DWK-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMC2004DWK-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA, 430mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer DMC2004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMC2004DWK-7.

Produkteigenschaften DMC2004DWK-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004LPK-7 DMC2020USD-13
Artikelnummer DMC2004DWK-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004LPK-7 DMC2020USD-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 19.6nC @ 8V - 11.6nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 20V 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 914pF @ 6V 150pF @ 16V 1149pF @ 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA, 430mA 5.6A, 3.8A 750mA, 600mA 7.8A, 6.3A
Leistung - max 250mW 1.4W 500mW 1.8W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UDFN Exposed Pad 6-SMD, No Lead 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer DMC2004 DMC1229 DMC2004 DMC2020
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 U-DFN2020-6 (Type B) DFN1612-6 8-SO

DMC2004DWK-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMC2004DWK-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMC2004DWK-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 3/May/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMC2004DWK.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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