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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG3402LQ-7
DMG3402LQ-7 Image
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DMG3402LQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG3402LQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG3402LQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMG3402LQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 244270

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Anzahl

Spezifikation

DMG3402LQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG3402LQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG3402LQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.4W  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 464 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG3402  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG3402LQ-7.

Produkteigenschaften DMG3402LQ-7 DMG302PU-7 DMG3406L-7 DMG301NU-7
Artikelnummer DMG3402LQ-7 DMG302PU-7 DMG3406L-7 DMG301NU-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V 10Ohm @ 200mA, 4.5V 50mOhm @ 3.6A, 10V 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DMG3402 DMG302 DMG3406 DMG301
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V 0.35 nC @ 4.5 V 11.2 nC @ 10 V 0.36 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V -8V ±20V 8V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 170mA (Ta) 3.6A (Ta) 260mA (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 464 pF @ 15 V 27.2 pF @ 10 V 495 pF @ 15 V 42 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.4W 330mW 770mW (Ta) 320mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

DMG3402LQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG3402LQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG3402LQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMG3402LQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
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