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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG3406L-13
DMG3406L-13 Image
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DMG3406L-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG3406L-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG3406L-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMG3406L.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 489900

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Spezifikation

DMG3406L-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG3406L-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG3406L-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 770mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 495 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG3406  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG3406L-13.

Produkteigenschaften DMG3406L-13 DMG3407SSN-7 DMG3402LQ-7 DMG3406L-7
Artikelnummer DMG3406L-13 DMG3407SSN-7 DMG3402LQ-7 DMG3406L-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Grundproduktnummer DMG3406 DMG3407 DMG3402 DMG3406
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V 50mOhm @ 4.1A, 10V 52mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SC-59-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta) 3.6A (Ta)
Verlustleistung (max) 770mW (Ta) 1.1W (Ta) 1.4W 770mW (Ta)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 495 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V 464 pF @ 15 V 495 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 11.7 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMG3406L-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG3406L-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG3406L-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMG3406L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-DMG3406L-13

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