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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG4N65CTI
DMG4N65CTI Image
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DMG4N65CTI - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG4N65CTI
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG4N65CTI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
DMG4N65CTI.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

DMG4N65CTI Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG4N65CTI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG4N65CTI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ITO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 8.35W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer DMG4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG4N65CTI.

Produkteigenschaften DMG4N65CTI DMG4812SSS-13 DMG4N60SK3-13 DMG4N60SJ3
Artikelnummer DMG4N65CTI DMG4812SSS-13 DMG4N60SK3-13 DMG4N60SJ3
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 600 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 1849 pF @ 15 V 532 pF @ 25 V 532 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2A, 10V 15mOhm @ 10.7A, 10V 2.3Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±12V ±30V ±30V
Serie - - - -
FET-Merkmal - Schottky Diode (Body) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 8A (Ta) 3.7A (Tc) 3A (Tc)
Grundproduktnummer DMG4 DMG4812 DMG4 DMG4
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse ITO-220AB 8-SO TO-252-3 TO-251
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 8.35W (Ta) 1.54W (Ta) 48W (Ta) 41W (Tc)

DMG4N65CTI Datenblatt PDF

Laden Sie DMG4N65CTI PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG4N65CTI - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Datenblätter
DMG4N65CTI.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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