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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMG6301UDW-13
DMG6301UDW-13 Image
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DMG6301UDW-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG6301UDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG6301UDW-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMG6301UDW.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 753850

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Spezifikation

DMG6301UDW-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG6301UDW-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG6301UDW-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27.9pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMG6301  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG6301UDW-13.

Produkteigenschaften DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-7 DMG5802LFX-7 DMG6601LVT-7
Artikelnummer DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-7 DMG5802LFX-7 DMG6601LVT-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Leistung - max 300mW 300mW 980mW 850mW
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 W-DFN5020-6 TSOT-26
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240mA 240mA 6.5A 3.8A, 2.5A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 24V 30V
Grundproduktnummer DMG6301 DMG6301 DMG5802 DMG6601
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 4.5V 0.36nC @ 4.5V 31.3nC @ 10V 12.3nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27.9pF @ 10V 27.9pF @ 10V 1066.4pF @ 15V 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 15mOhm @ 6.5A, 4.5V 55mOhm @ 3.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain N and P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-VFDFN Exposed Pad SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMG6301UDW-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG6301UDW-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG6301UDW-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMG6301UDW.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Diodes Incorporated
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