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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG6968U-7
DMG6968U-7 Image
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DMG6968U-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG6968U-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG6968U-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMG6968U.pdf
RoHS Status
vorrätig: 362060

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Anzahl

Spezifikation

DMG6968U-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG6968U-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG6968U-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG6968  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG6968U-7.

Produkteigenschaften DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
Artikelnummer DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
Grundproduktnummer DMG6968 DMG7401 DMG6968 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 11mOhm @ 12A, 20V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V 2987 pF @ 15 V 151 pF @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 PowerDI3333-8 SOT-23-3 -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 940mW (Ta) 1.3W (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 20V 1.8V, 4.5V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 58 nC @ 10 V 8.5 nC @ 4.5 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 3V @ 250µA 900mV @ 250µA -
Vgs (Max) ±12V ±25V ±12V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 9.8A (Ta) 6.5A (Ta) -
FET-Merkmal - - - -

DMG6968U-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG6968U-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG6968U-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Datenblätter
DMG6968U.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
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