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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG7401SFG-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMG7401SFG-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG7401SFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG7401SFG-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMG7401SFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 208880

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Anzahl

Spezifikation

DMG7401SFG-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG7401SFG-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG7401SFG-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V  
Verlustleistung (max) 940mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2987 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.8A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG7401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG7401SFG-13.

Produkteigenschaften DMG7401SFG-13 DMG7430LFG-7 DMG6968UQ-7 DMG7702SFG-13
Artikelnummer DMG7401SFG-13 DMG7430LFG-7 DMG6968UQ-7 DMG7702SFG-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.8A (Ta) 10.5A (Ta) 6.5A (Ta) 12A (Ta)
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Body)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 26.7 nC @ 10 V 8.5 nC @ 4.5 V 14.7 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN
Verlustleistung (max) 940mW (Ta) 900mW (Ta) 1.3W (Ta) 890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V 11mOhm @ 20A, 10V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 10mOhm @ 13.5A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2987 pF @ 15 V 1281 pF @ 15 V 151 pF @ 10 V 4310 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 20V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±12V ±20V
Grundproduktnummer DMG7401 DMG7430 DMG6968 DMG7702
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 SOT-23-3 PowerDI3333-8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMG7401SFG-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG7401SFG-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG7401SFG-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020.pdf
Datenblätter
DMG7401SFG.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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