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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN1001UCA10-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN1001UCA10-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN1001UCA10-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN1001UCA10-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN1820-
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-SMD, No Lead
Datenblatt
DMN1001UCA10.pdf
vorrätig: 178890

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Spezifikation

DMN1001UCA10-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN1001UCA10-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN1001UCA10-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 870µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X2-TSN1820-10  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.55mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 10-SMD, No Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2865pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer DMN1001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN1001UCA10-7.

Produkteigenschaften DMN1001UCA10-7 DMN1006UCA6-7 DMN1002UCA6-7 DMN1003UCA6-7
Artikelnummer DMN1001UCA10-7 DMN1006UCA6-7 DMN1002UCA6-7 DMN1003UCA6-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V - - -
Leistung - max 1W 2.4W 1.1W 2.67W
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 10-SMD, No Lead 6-SMD, No Lead 6-SMD, No Lead 6-SMD, No Lead
Grundproduktnummer DMN1001 DMN1006 DMN1002 DMN1003
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4V 35.2nC @ 4.5V 68.6nC @ 4V 56.5nC @ 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse X2-TSN1820-10 X3-DSN2718-6 X4-DSN3118-6 X3-DSN3518-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2865pF @ 6V 2360pF @ 6V - 3315pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.55mOhm @ 5A, 4.5V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 870µA 1.3V @ 1mA - 1.3V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMN1001UCA10-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN1001UCA10-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN1001UCA10-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN1001UCA10.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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