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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN1014UFDF-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN1014UFDF-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN1014UFDF-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN1014UFDF-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMN1014UFDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 595050

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Anzahl

Spezifikation

DMN1014UFDF-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN1014UFDF-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN1014UFDF-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type F)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN1014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN1014UFDF-7.

Produkteigenschaften DMN1014UFDF-7 DMN1019UFDE-7 DMN1004UFV-7 DMN100-7-F
Artikelnummer DMN1014UFDF-7 DMN1019UFDE-7 DMN1004UFV-7 DMN100-7-F
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta) 11A (Ta) 70A (Tc) 1.1A (Ta)
Grundproduktnummer DMN1014 DMN1019 DMN1004 DMN100
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±20V
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type F) U-DFN2020-6 (Type E) PowerDI3333-8 (Type UX) SC-59-3
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 12 V 30 V
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 690mW (Ta) 1.9W (Ta) 500mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUDFN 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 800mV @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V 50.6 nC @ 8 V 47 nC @ 8 V 5.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V 10mOhm @ 9.7A, 4.5V 3.8mOhm @ 15A, 4.5V 240mOhm @ 1A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 6 V 2425 pF @ 10 V 2385 pF @ 6 V 150 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMN1014UFDF-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN1014UFDF-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN1014UFDF-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Datenblätter
DMN1014UFDF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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