Spezifikation
DMN1150UFB-7B Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN1150UFB-7B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN1150UFB-7B
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Diodes Incorporated |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±6V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
X1-DFN1006-3 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
150mOhm @ 1A, 4.5V |
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| Verlustleistung (max) |
500mW (Ta) |
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| Verpackung / Gehäuse |
3-UFDFN |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
106 pF @ 10 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
1.5 nC @ 4.5 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
12 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
1.41A (Ta) |
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| Grundproduktnummer |
DMN1150 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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DMN2004DWKDIO/SKSEMI
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
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DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 7.5A TO252