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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN2004DWK-7
DMN2004DWK-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2004DWK-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2004DWK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2004DWK-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN2004DW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 215720

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Anzahl

Spezifikation

DMN2004DWK-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2004DWK-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2004DWK-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Leistung - max 200mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN2004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2004DWK-7.

Produkteigenschaften DMN2004DWK-7 DMN1150UFL3-7 DMN1250UFEL-7 DMN2004DMK-7
Artikelnummer DMN2004DWK-7 DMN1150UFL3-7 DMN1250UFEL-7 DMN2004DMK-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 150mOhm @ 1A, 4.5V 450mOhm @ 200mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-XFDFN Exposed Pad 12-UFQFN Exposed Pad SOT-23-6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 X2-DFN1310-6 (Type B) U-QFN1515-12 SOT-26
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 200mW 390mW 660mW 225mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 8 N-Channel, Common Gate, Common Source 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 12V 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 1.4nC @ 4.5V 1.9nC @ 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA 2A 2A 540mA
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 115pF @ 6V 190pF @ 6V 150pF @ 16V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Grundproduktnummer DMN2004 DMN1150 DMN1250 DMN2004

DMN2004DWK-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2004DWK-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2004DWK-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 3/May/2011.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMN2004DW.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMN2004DWK-7

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