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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN2004VK-7
DMN2004VK-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2004VK-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2004VK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2004VK-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
DMN2004VK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 245120

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Anzahl

Spezifikation

DMN2004VK-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2004VK-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2004VK-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN2004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2004VK-7.

Produkteigenschaften DMN2004VK-7 DMN2004DWKQ-7 DMN2005DLP4K-7 DMN2004WKQ-7
Artikelnummer DMN2004VK-7 DMN2004DWKQ-7 DMN2005DLP4K-7 DMN2004WKQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-XFDFN Exposed Pad SC-70, SOT-323
Grundproduktnummer DMN2004 DMN2004 DMN2005 DMN2004
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 0.95nC @ 8V - -
Leistung - max 250mW 200mW 400mW -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 100µA 1V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V - 150 pF @ 16 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA 540mA (Ta) 300mA 540mA (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-363 X2-DFN1310-6 (Type B) SOT-323
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101

DMN2004VK-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2004VK-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2004VK-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMN2004VK.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-DMN2004VK-7

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