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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN2005DLP4K-7
DMN2005DLP4K-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2005DLP4K-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2005DLP4K-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2005DLP4K-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-XFDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMN2005DLP4K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 187350

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Anzahl

Spezifikation

DMN2005DLP4K-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2005DLP4K-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2005DLP4K-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1310-6 (Type B)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Leistung - max 400mW  
Verpackung / Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN2005  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7.

Produkteigenschaften DMN2005DLP4K-7 DMN2004VK-7 DMN2005K-7 DMN2005LPK-7
Artikelnummer DMN2005DLP4K-7 DMN2004VK-7 DMN2005K-7 DMN2005LPK-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 100µA 1V @ 250µA 900mV @ 100µA 1.2V @ 100µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad SOT-563, SOT-666 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-UFDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA 540mA 300mA (Ta) 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 150pF @ 16V - -
Leistung - max 400mW 250mW - -
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1310-6 (Type B) SOT-563 SOT-23-3 X1-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Grundproduktnummer DMN2005 DMN2004 DMN2005 DMN2005

DMN2005DLP4K-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2005DLP4K-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2005DLP4K-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012.pdf
Datenblätter
DMN2005DLP4K.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Diodes Incorporated
32D-DMN2005DLP4K-7

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