Spezifikation
DMN2008LFU-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2008LFU-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2008LFU-7
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Diodes Incorporated |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250A |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Supplier Device-Gehäuse |
U-DFN2030-6 (Type B) |
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| Serie |
- |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
|
| Leistung - max |
1W |
|
| Verpackung / Gehäuse |
6-UFDFN Exposed Pad |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1418pF @ 10V |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
42.3nC @ 10V |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
14.5A |
|
| Konfiguration |
2 N-Channel (Dual) Common Drain |
|
| Grundproduktnummer |
DMN2008 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
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DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN