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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN2005LPK-7
DMN2005LPK-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2005LPK-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2005LPK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2005LPK-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-UFDFN
Datenblatt
DMN2005LPK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 419130

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Anzahl

Spezifikation

DMN2005LPK-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2005LPK-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2005LPK-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1006-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Verlustleistung (max) 450mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 440mA (Ta)  
Grundproduktnummer DMN2005  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2005LPK-7.

Produkteigenschaften DMN2005LPK-7 DMN2011UFDE-7 DMN2004WK-7 DMN2005UPS-13
Artikelnummer DMN2005LPK-7 DMN2011UFDE-7 DMN2004WK-7 DMN2005UPS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±10V ±12V ±8V ±12V
Grundproduktnummer DMN2005 DMN2011 DMN2004 DMN2005
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 440mA (Ta) 11.7A (Ta) 540mA (Ta) 20A (Ta), 100A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1006-3 U-DFN2020-6 (Type E) SOT-323 PowerDI5060-8
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 450mW (Ta) 610mW (Ta) 200mW (Ta) 1.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN 6-PowerUDFN SC-70, SOT-323 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 9.5mOhm @ 7A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 100µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DMN2005LPK-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2005LPK-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2005LPK-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018.pdf
Datenblätter
DMN2005LPK.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMN2005LPK-7

Diodes Incorporated
32D-DMN2005LPK-7

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