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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN2015UFDF-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2015UFDF-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2015UFDF-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2015UFDF-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMN2015UFDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 268990

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Anzahl

Spezifikation

DMN2015UFDF-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2015UFDF-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2015UFDF-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 8.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1439 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.2A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN2015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2015UFDF-7.

Produkteigenschaften DMN2015UFDF-7 DMN2011UTS-13 DMN2015UFDE-7 DMN2013UFDEQ-7
Artikelnummer DMN2015UFDF-7 DMN2011UTS-13 DMN2015UFDE-7 DMN2013UFDEQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1439 pF @ 10 V 2248 pF @ 10 V 1779 pF @ 10 V 2453 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 8-TSSOP U-DFN2020-6 (Type E) U-DFN2020-6 (Type E)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.3W (Ta) 660mW (Ta) 660mW (Ta)
Grundproduktnummer DMN2015 DMN2011 DMN2015 DMN2013
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 6-PowerUDFN 6-PowerUDFN
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 8.5A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V 11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.3 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 45.6 nC @ 10 V 25.8 nC @ 8 V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.2A (Ta) 21A (Tc) 10.5A (Ta) 10.5A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

DMN2015UFDF-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2015UFDF-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2015UFDF-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMN2015UFDF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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