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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2016LHAB-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2016LHAB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2016LHAB-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMN2016LHAB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 259480

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Anzahl

Spezifikation

DMN2016LHAB-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2016LHAB-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2016LHAB-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2030-6 (Type B)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 1.2W  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer DMN2016  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7.

Produkteigenschaften DMN2016LHAB-7 DMN2016LFG-7 DMN2019UTS-13 DMN2016UTS-13
Artikelnummer DMN2016LHAB-7 DMN2016LFG-7 DMN2019UTS-13 DMN2016UTS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerUDFN 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V 18.5mOhm @ 7A, 10V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A 5.2A 5.4A 8.58A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.2W 770mW 780mW 880mW
Grundproduktnummer DMN2016 DMN2016 DMN2019 DMN2016
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V 8.8nC @ 4.5V 16.5nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V 1472pF @ 10V 143pF @ 10V 1495pF @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2030-6 (Type B) U-DFN3030-8 8-TSSOP 8-TSSOP

DMN2016LHAB-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2016LHAB-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2016LHAB-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN2016LHAB.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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