DMN2026UVT-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2026UVT-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2026UVT-7

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.15W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.4 nC @ 8 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.2A (Tc)
Grundproduktnummer	DMN2026

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2026UVT-7.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	DMN2026UVT-7	DMN2020UFCL-7	DMN2022UFDF-13	DMN2026UVT-13
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Verlustleistung (max)	1.15W (Ta)	610mW (Ta)	660mW (Ta)	1.15W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 10 V	1788 pF @ 10 V	907 pF @ 10 V	887 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	1.8V, 4.5V	1.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	900mV @ 250µA	1V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Grundproduktnummer	DMN2026	DMN2020	DMN2022	DMN2026
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.4 nC @ 8 V	21.5 nC @ 4.5 V	18 nC @ 8 V	18.4 nC @ 8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.2A (Tc)	9A (Ta)	7.9A (Ta)	6.2A (Tc)
FET-Merkmal	-	-	-	-
Serie	-	-	-	-
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-PowerUFDFN	6-UDFN Exposed Pad	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 6.2A, 4.5V	14mOhm @ 9A, 4.5V	22mOhm @ 4A, 4.5V	24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26	X1-DFN1616-6 (Type E)	U-DFN2020-6 (Type F)	TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V	±10V	±8V	±10V
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)

DMN2026UVT-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2026UVT-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2026UVT-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Datenblätter: DMN2026UVT.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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