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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN2027UPS-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2027UPS-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2027UPS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2027UPS-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMN2027UPS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 150100

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Anzahl

Spezifikation

DMN2027UPS-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2027UPS-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2027UPS-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1091 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 36A (Tc)  
Grundproduktnummer DMN2027  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2027UPS-13.

Produkteigenschaften DMN2027UPS-13 DMN2027LK3-13 DMN2022UFDF-7 DMN2024U-7
Artikelnummer DMN2027UPS-13 DMN2027LK3-13 DMN2022UFDF-7 DMN2024U-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V 9.1 nC @ 4.5 V 18 nC @ 8 V 7.1 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DMN2027 DMN2027 DMN2022 DMN2024
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 10V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 36A (Tc) 11.6A (Ta) 7.9A (Ta) 6.8A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 TO-252-3 U-DFN2020-6 (Type F) SOT-23-3
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1091 pF @ 10 V 857 pF @ 10 V 907 pF @ 10 V 647 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 21mOhm @ 20A, 10V 22mOhm @ 4A, 4.5V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 2.14W (Ta) 660mW (Ta) 800mW
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±10V

DMN2027UPS-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2027UPS-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2027UPS-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Datenblätter
DMN2027UPS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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