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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN3024LSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN3024LSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN3024LSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN3024LSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN3024LSD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123550

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Spezifikation

DMN3024LSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN3024LSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN3024LSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 1.8W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN3024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN3024LSD-13.

Produkteigenschaften DMN3024LSD-13 DMN3024SFG-7 DMN3022LDG DMN3024LSD
Artikelnummer DMN3024LSD-13 DMN3024SFG-7 DMN3022LDG DMN3024LSD
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated HAMOS Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A 7.5A (Ta) - -
Leistung - max 1.8W - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO POWERDI3333-8 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V 479 pF @ 15 V - -
Grundproduktnummer DMN3024 DMN3024 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 10A, 10V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30 V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V 10.5 nC @ 10 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie - - - -

DMN3024LSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN3024LSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN3024LSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Datenblätter
DMN3024LSD.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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