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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN3024SFG-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN3024SFG-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN3024SFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN3024SFG-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMN3024SFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 276720

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Anzahl

Spezifikation

DMN3024SFG-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN3024SFG-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN3024SFG-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 479 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN3024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN3024SFG-13.

Produkteigenschaften DMN3024SFG-13 DMN3024LK3-13 DMN3027LFG-13 DMN3026LVT-7
Artikelnummer DMN3024SFG-13 DMN3024LK3-13 DMN3027LFG-13 DMN3026LVT-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 479 pF @ 15 V 608 pF @ 15 V 580 pF @ 15 V 643 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 12.9 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 9.78A (Ta) 5.3A (Ta) 6.6A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8 TO-252-3 PowerDI3333-8 TSOT-23-6
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 3V @ 250µA 1.8V @ 250µA 2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 2.17W (Ta) 1W (Ta) 1.2W (Ta)
Grundproduktnummer DMN3024 DMN3024 DMN3027 DMN3026
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V 18.6mOhm @ 10A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -

DMN3024SFG-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN3024SFG-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN3024SFG-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN3024SFG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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