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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN32D2LDF-7
DMN32D2LDF-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN32D2LDF-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN32D2LDF-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN32D2LDF-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
detaillierte Beschreibung
Verpackung
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Datenblatt
DMN32D2LDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 504450

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Anzahl

Spezifikation

DMN32D2LDF-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN32D2LDF-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN32D2LDF-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-353  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V  
Leistung - max 280mW  
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source  
Grundproduktnummer DMN32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7.

Produkteigenschaften DMN32D2LDF-7 DMN3190LDW-7 DMN31D5UDJ-7 DMN32D2LV-7
Artikelnummer DMN32D2LDF-7 DMN3190LDW-7 DMN31D5UDJ-7 DMN32D2LV-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse SOT-353 SOT-363 SOT-963 SOT-563
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Leistung - max 280mW 320mW 350mW (Ta) 400mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V 87pF @ 20V 22.6pF @ 15V 39pF @ 3V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 2nC @ 10V 0.38nC @ 4.5V -
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-963 SOT-563, SOT-666
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.8V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer DMN32 DMN3190 DMN31 DMN32
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA 1A 220mA (Ta) 400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V 190mOhm @ 1.3A, 10V 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 100mA, 4V

DMN32D2LDF-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN32D2LDF-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN32D2LDF-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 3/May/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018.pdf
Datenblätter
DMN32D2LDF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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Diodes Incorporated
32D-DMN32D2LDF-7

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