Spezifikation
DMN32D2LV-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN32D2LV-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN32D2LV-7
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Diodes Incorporated |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SOT-563 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.2Ohm @ 100mA, 4V |
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| Leistung - max |
400mW |
|
| Verpackung / Gehäuse |
SOT-563, SOT-666 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
39pF @ 3V |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
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| FET-Merkmal |
Logic Level Gate |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
400mA |
|
| Konfiguration |
2 N-Channel (Dual) |
|
| Grundproduktnummer |
DMN32 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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DMN32D2LFB4-7B-55Diodes Incorporated
DMN3300U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523