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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN6040SFDE-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN6040SFDE-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN6040SFDE-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN6040SFDE-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerUDFN
Datenblatt
DMN6040SFDE.pdf
RoHS Status
vorrätig: 193940

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Anzahl

Spezifikation

DMN6040SFDE-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN6040SFDE-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN6040SFDE-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type E)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 660mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerUDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN6040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7.

Produkteigenschaften DMN6040SFDE-7 DMN6040SE-13 DMN6040SSS-13 DMN601WKQ-7
Artikelnummer DMN6040SFDE-7 DMN6040SE-13 DMN6040SSS-13 DMN601WKQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 660mW (Ta) 1.2W (Ta) 1.5W (Ta) 200mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta) 5A (Ta) 5.5A (Ta) 300mA (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DMN6040 DMN6040 DMN6040 DMN601
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-PowerUDFN TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-70, SOT-323
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.3A, 10V 40mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type E) SOT-223-3 8-SO SOT-323

DMN6040SFDE-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN6040SFDE-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN6040SFDE-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Datenblätter
DMN6040SFDE.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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