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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN6040SSDQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN6040SSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN6040SSDQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN6040SSDQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 145970

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Anzahl

Spezifikation

DMN6040SSDQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN6040SSDQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN6040SSDQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1287pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN6040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN6040SSDQ-13.

Produkteigenschaften DMN6040SSDQ-13 DMN6066SSD-13 DMN6040SSD-13 DMN6040SK3-13
Artikelnummer DMN6040SSDQ-13 DMN6066SSD-13 DMN6040SSD-13 DMN6040SK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 3.3A 5A 20A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1287pF @ 25V 502pF @ 30V 1287pF @ 25V 1287 pF @ 25 V
Leistung - max 1.3W 1.8W 1.3W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.5A, 10V 66mOhm @ 4.5A, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V 40mOhm @ 20A, 10V
Grundproduktnummer DMN6040 DMN6066 DMN6040 DMN6040
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 60 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO TO-252-3
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 10V 10.3nC @ 10V 22.4nC @ 10V 22.4 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMN6040SSDQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN6040SSDQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN6040SSDQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN6040SSDQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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