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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN6075SQ-13
DMN6075SQ-13 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN6075SQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN6075SQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN6075SQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMN6075SQ.pdf
vorrätig: 417250

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Anzahl

Spezifikation

DMN6075SQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN6075SQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN6075SQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 606 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN6075  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN6075SQ-13.

Produkteigenschaften DMN6075SQ-13 DMN6070SY-13 DMN6070SFCL-7 DMN60H3D5SK3-13
Artikelnummer DMN6075SQ-13 DMN6070SY-13 DMN6070SFCL-7 DMN60H3D5SK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 4.1A (Ta) 3A (Ta) 2.8A (Tc)
Verlustleistung (max) 800mW (Ta) 2.1W (Ta) 600mW (Ta) 41W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 606 pF @ 20 V 588 pF @ 30 V 606 pF @ 20 V 354 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.2A, 10V 85mOhm @ 2.5A, 10V 85mOhm @ 1.5A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Grundproduktnummer DMN6075 DMN6070 DMN6070 DMN60
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-89-3 X1-DFN1616-6 (Type E) TO-252, (D-Pak)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA 6-PowerUFDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN6075SQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN6075SQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN6075SQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN6075SQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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DMN6075SQ-13

Diodes Incorporated
32D-DMN6075SQ-13

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