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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN61D8LVT-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN61D8LVT-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN61D8LVT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN61D8LVT-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
DMN61D8L(VT).pdf
RoHS Status
vorrätig: 229440

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Spezifikation

DMN61D8LVT-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN61D8LVT-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN61D8LVT-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V  
Leistung - max 820mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 630mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN61  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN61D8LVT-7.

Produkteigenschaften DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVTQ-7 DMN61D9UDW-7 DMN61D9UWQ-13
Artikelnummer DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVTQ-7 DMN61D9UDW-7 DMN61D9UWQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 820mW 820mW 320mW -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V 0.74nC @ 5V 0.4nC @ 4.5V 0.4 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V 1.8Ohm @ 150mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V 12.9pF @ 12V 28.5pF @ 30V 28.5 pF @ 30 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Supplier Device-Gehäuse TSOT-26 TSOT-26 SOT-363 SOT-323
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70, SOT-323
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 630mA 630mA 350mA 400mA (Ta)
Grundproduktnummer DMN61 DMN61 DMN61 DMN61
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMN61D8LVT-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN61D8LVT-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN61D8LVT-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMN61D8L(VT).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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