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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN61D9UDW-7
DMN61D9UDW-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN61D9UDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN61D9UDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN61D9UDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN61D9UDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5050

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Anzahl

Spezifikation

DMN61D9UDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN61D9UDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN61D9UDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Leistung - max 320mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN61  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN61D9UDW-7.

Produkteigenschaften DMN61D9UDW-7 DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVT-7 DMN61D8LQ-7
Artikelnummer DMN61D9UDW-7 DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVT-7 DMN61D8LQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Grundproduktnummer DMN61 DMN61 DMN61 DMN61
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 1.8Ohm @ 150mA, 5V 1.8Ohm @ 150mA, 5V 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA 630mA 630mA 470mA (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Leistung - max 320mW 820mW 820mW -
Serie - - - -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V 12.9pF @ 12V 12.9pF @ 12V 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 0.74nC @ 5V 0.74nC @ 5V 0.74 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 TSOT-26 TSOT-26 SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMN61D9UDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN61D9UDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN61D9UDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
OBS NOTICE 29/Aug/2022.pdf
Datenblätter
DMN61D9UDW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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