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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMP2200UDW-7
DMP2200UDW-7 Image
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DMP2200UDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP2200UDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP2200UDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMP2200UDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 441650

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Anzahl

Spezifikation

DMP2200UDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP2200UDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP2200UDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V  
Leistung - max 450mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMP2200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP2200UDW-7.

Produkteigenschaften DMP2200UDW-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UFCL-7 DMP2225L-7
Artikelnummer DMP2200UDW-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UFCL-7 DMP2225L-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V 184pF @ 10V 184pF @ 10V 250 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA 900mA 1.7A 2.6A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 5.3 nC @ 4.5 V
Leistung - max 450mW 450mW 660mW -
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 U-DFN1616-6 SOT-23-3
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UFDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V 110mOhm @ 2.6A, 4.5V
Grundproduktnummer DMP2200 DMP2200 DMP2200 DMP2225

DMP2200UDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP2200UDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP2200UDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMP2200UDW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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