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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP4065SQ-7
DMP4065SQ-7 Image
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DMP4065SQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP4065SQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP4065SQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMP4065SQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 150010

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Anzahl

Spezifikation

DMP4065SQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP4065SQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP4065SQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 720mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 587 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta)  
Grundproduktnummer DMP4065  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP4065SQ-7.

Produkteigenschaften DMP4065SQ-7 DMP45H4D9HK3-13 DMP45H21DHE-13 DMP4051LK3-13
Artikelnummer DMP4065SQ-7 DMP45H4D9HK3-13 DMP45H21DHE-13 DMP4051LK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 10 V 13.7 nC @ 10 V 4.2 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 TO-252, (D-Pak) SOT-223-3 TO-252-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 720mW (Ta) 104W (Tc) 12.5W (Tc) 2.14W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta) 4.7A (Tc) 600mA (Tc) 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.2A, 10V 4.9Ohm @ 1.05A, 10V 21Ohm @ 300mA, 10V 51mOhm @ 12A, 10V
Serie - - - -
Grundproduktnummer DMP4065 DMP45 DMP45 DMP4051
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 587 pF @ 20 V 564 pF @ 25 V 1003 pF @ 25 V 674 pF @ 20 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 450 V 450 V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMP4065SQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP4065SQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP4065SQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
DMP4065SQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DMP4065SQ-7

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