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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMP57D5UV-7
DMP57D5UV-7 Image
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DMP57D5UV-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP57D5UV-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP57D5UV-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
DMP57D5UV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4690

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Anzahl

Spezifikation

DMP57D5UV-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP57D5UV-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP57D5UV-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V  
Leistung - max 400mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 29pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMP57D5UV  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP57D5UV-7.

Produkteigenschaften DMP57D5UV-7 DMP56D0UV-7 DMP58D0SV-7 DMP56D0UFB-7
Artikelnummer DMP57D5UV-7 DMP56D0UV-7 DMP58D0SV-7 DMP56D0UFB-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V 6Ohm @ 100mA, 4V 8Ohm @ 100mA, 5V 6Ohm @ 100mA, 4V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 0.58nC @ 4V - 0.58 nC @ 4 V
Serie - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 50V 50V 50 V
Leistung - max 400mW 400mW 400mW -
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-563 SOT-563 X1-DFN1006-3
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 29pF @ 25V 50.54pF @ 25V 27pF @ 25V 50.54 pF @ 25 V
Grundproduktnummer DMP57D5UV DMP56 DMP58 DMP56
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 3-UFDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160mA 160mA 160mA 200mA (Ta)

DMP57D5UV-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP57D5UV-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP57D5UV-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Discrete Family 24/Jul/2013.pdf
Datenblätter
DMP57D5UV.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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Diodes Incorporated
32D-DMP57D5UV-7

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