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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP610DL-7
DMP610DL-7 Image
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DMP610DL-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP610DL-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP610DL-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMP610DL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 912900

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Anzahl

Spezifikation

DMP610DL-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP610DL-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP610DL-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V  
Verlustleistung (max) 310mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta)  
Grundproduktnummer DMP610  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP610DL-7.

Produkteigenschaften DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
Artikelnummer DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta) 4.5A (Ta) 7.7A (Ta) 7.7A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DMP610 DMP6110 DMP6023 DMP6023
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 110mOhm @ 4.5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 8-SO POWERDI3333-8 POWERDI3333-8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V 1030 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 310mW (Ta) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101

DMP610DL-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP610DL-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP610DL-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMP610DL.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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