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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMP6110SSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP6110SSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP6110SSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP6110SSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMP6110SSD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 167930

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Spezifikation

DMP6110SSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP6110SSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP6110SSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 1.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 969pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMP6110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP6110SSD-13.

Produkteigenschaften DMP6110SSD-13 DMP6050SSD-13 DMP6110SSS DMP6023LSS-13
Artikelnummer DMP6110SSD-13 DMP6050SSD-13 DMP6110SSS DMP6023LSS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 969pF @ 30V 1293pF @ 30V - 2569 pF @ 30 V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer DMP6110 DMP6050 - DMP6023
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO - 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V 24nC @ 10V - 53.1 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V - 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Leistung - max 1.2W 1.2W - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 4.5A, 10V 55mOhm @ 5A, 10V - 25mOhm @ 5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A 4.8A - 6.6A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)

DMP6110SSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP6110SSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP6110SSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMP6110SSD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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