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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMS2220LFW-7
DMS2220LFW-7 Image
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DMS2220LFW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMS2220LFW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMS2220LFW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMS2220LFW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4040

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Anzahl

Spezifikation

DMS2220LFW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMS2220LFW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMS2220LFW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN3020 (3x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMS2220LFW-7.

Produkteigenschaften DMS2220LFW-7 DMS3016SSS-13 DMS3015SSS-13 DMS2120LFWB-7
Artikelnummer DMS2220LFW-7 DMS3016SSS-13 DMS3015SSS-13 DMS2120LFWB-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Isolated)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN3020 (3x2) 8-SO 8-SO 8-DFN3020B (3x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.8A, 4.5V 13mOhm @ 9.8A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 10 V 1849 pF @ 15 V 1276 pF @ 15 V 632 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A (Ta) 9.8A (Ta) 11A (Ta) 2.9A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.54W (Ta) 1.55W (Ta) 1.5W (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

DMS2220LFW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMS2220LFW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMS2220LFW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Discrete Devices 06/Apr/2012.pdf
Datenblätter
DMS2220LFW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMS2220LFW-7

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