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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMT6018LDR-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMT6018LDR-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMT6018LDR-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMT6018LDR-7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70150

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Anzahl

Spezifikation

DMT6018LDR-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMT6018LDR-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMT6018LDR-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse V-DFN3030-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V  
Leistung - max 1.9W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMT6018  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMT6018LDR-7.

Produkteigenschaften DMT6018LDR-7 DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-13 DMTH10H017LPDQ-13
Artikelnummer DMT6018LDR-7 DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-13 DMTH10H017LPDQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V - - 28.6nC @ 10V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Grundproduktnummer DMT6018 DMT6017 DMT6017 DMTH10
Supplier Device-Gehäuse V-DFN3030-8 PowerDI3333-8 (Type UXC) PowerDI3333-8 (Type UXC) PowerDI5060-8 (Type E)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V - - 1986pF @ 50V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 17.4mOhm @ 17A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 1.9W - - 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V - - 100V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta) 25.3 (Tc) 25.3A (Tc) 13A (Ta), 59A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN

DMT6018LDR-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMT6018LDR-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMT6018LDR-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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