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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMTH10H017LPDQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMTH10H017LPDQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMTH10H017LPDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMTH10H017LPDQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMTH10H017LPDQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71640

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Anzahl

Spezifikation

DMTH10H017LPDQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH10H017LPDQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH10H017LPDQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 (Type E)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 1.5W (Ta), 93W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1986pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.6nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 59A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMTH10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH10H017LPDQ-13.

Produkteigenschaften DMTH10H017LPDQ-13 DMT6018LDR-7 DMTARD07 DMT69M8LFV-7
Artikelnummer DMTH10H017LPDQ-13 DMT6018LDR-7 DMTARD07 DMT69M8LFV-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated NA Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Grundproduktnummer DMTH10 DMT6018 - DMT69
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V 17mOhm @ 8.2A, 10V - 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 (Type E) V-DFN3030-8 - PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.6nC @ 10V 13.9nC @ 10V - 33.5 nC @ 10 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Leistung - max 1.5W (Ta), 93W (Tc) 1.9W - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 60V - 60 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN - 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 59A (Tc) 8.8A (Ta) - 45A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1986pF @ 50V 869pF @ 30V - 1925 pF @ 30 V

DMTH10H017LPDQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH10H017LPDQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH10H017LPDQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMTH10H017LPDQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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