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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMTH4007SPD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMTH4007SPD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMTH4007SPD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMTH4007SPD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMTH4007SPD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61920

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Anzahl

Spezifikation

DMTH4007SPD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH4007SPD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH4007SPD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 2.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMTH4007  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH4007SPD-13.

Produkteigenschaften DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPDQ-13 DMTH6004LPS-13 DMTH4007LPSQ-13
Artikelnummer DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPDQ-13 DMTH6004LPS-13 DMTH4007LPSQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V 41.9nC @ 10V 96.3 nC @ 10 V 29.1 nC @ 10 V
Grundproduktnummer DMTH4007 DMTH4007 DMTH6004 DMTH4007
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 60 V 40 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V 2026pF @ 30V 4515 pF @ 30 V 1895 pF @ 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A 14.2A 22A (Ta), 100A (Tc) 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Leistung - max 2.6W 2.6W - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101

DMTH4007SPD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH4007SPD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH4007SPD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMTH4007SPD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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