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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMTH4007SPDQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMTH4007SPDQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMTH4007SPDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMTH4007SPDQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMTH4007SPDQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23194

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Anzahl

Spezifikation

DMTH4007SPDQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH4007SPDQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH4007SPDQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 2.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMTH4007  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ-13.

Produkteigenschaften DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPD-13 DMTH6005LCT DMTH4007SK3-13
Artikelnummer DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPD-13 DMTH6005LCT DMTH4007SK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leistung - max 2.6W 2.6W - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A 14.2A 100A (Tc) 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V 41.9nC @ 10V 47.1 nC @ 10 V 41.9 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 TO-220-3 TO-252-3
Grundproduktnummer DMTH4007 DMTH4007 DMTH6005 DMTH4007
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 60 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V 2026pF @ 30V 2962 pF @ 30 V 2082 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH4007SPDQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH4007SPDQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
DMTH4007SPDQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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