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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMTH8008SPS-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMTH8008SPS-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMTH8008SPS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMTH8008SPS-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMTH8008SPS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 116120

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Spezifikation

DMTH8008SPS-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH8008SPS-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH8008SPS-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 92A (Tc)  
Grundproduktnummer DMTH8008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH8008SPS-13.

Produkteigenschaften DMTH8008SPS-13 DMTH8008LFGQ-13 DMTH6010SCT DMTH6010SPS-13
Artikelnummer DMTH8008SPS-13 DMTH8008LFGQ-13 DMTH6010SCT DMTH6010SPS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14A, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V 7.2mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 100W (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 92A (Tc) 17A (Ta), 70A (Tc) 100A (Tc) 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 80 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 POWERDI3333-8 TO-220-3 PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 37.7 nC @ 10 V 36.3 nC @ 10 V 38.1 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 40 V 2254 pF @ 40 V 1940 pF @ 30 V 2841 pF @ 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN TO-220-3 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer DMTH8008 - DMTH6010 DMTH6010

DMTH8008SPS-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH8008SPS-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH8008SPS-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Datenblätter
DMTH8008SPS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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