DMTH8012LPSQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH8012LPSQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH8012LPSQ-13

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	2.6W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46.8 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 72A (Tc)
Grundproduktnummer	DMTH8012

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	DMTH8012LPSQ-13	DMTH6010SPS-13	DMTH6016LFVWQ-7	DMTH6016LPSQ-13
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
FET-Merkmal	-	-	-	-
Serie	Automotive, AEC-Q101	-	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 72A (Tc)	13.5A (Ta), 100A (Tc)	41A (Tc)	9.8A (Ta), 37A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2051 pF @ 40 V	2841 pF @ 30 V	939 pF @ 30 V	864 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 12A, 10V	8mOhm @ 20A, 10V	16mOhm @ 20A, 10V	16mOhm @ 20A, 10V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max)	2.6W (Ta), 136W (Tc)	2.6W (Ta), 167W (Tc)	1.17W (Ta)	2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerVDFN	8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8	PowerDI5060-8	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX	PowerDI5060-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Grundproduktnummer	DMTH8012	DMTH6010	DMTH6016	DMTH6016
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount, Wettable Flank	Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	4V @ 250µA	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46.8 nC @ 10 V	38.1 nC @ 10 V	15.1 nC @ 10 V	17 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V	60 V	60 V	60 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel

DMTH8012LPSQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH8012LPSQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH8012LPSQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter: DMTH8012LPSQ.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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