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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDSS5320T-7
DSS5320T-7 Image
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DSS5320T-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DSS5320T-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DSS5320T-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DSS5320T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 619450

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Anzahl

Spezifikation

DSS5320T-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DSS5320T-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DSS5320T-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 600 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer DSS5320  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DSS5320T-7.

Produkteigenschaften DSS5320T-7 DSS60601MZ4-13 DSS5220V-7 DSS60600MZ4-13
Artikelnummer DSS5320T-7 DSS60601MZ4-13 DSS5220V-7 DSS60600MZ4-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA SOT-563, SOT-666 TO-261-4, TO-261AA
Grundproduktnummer DSS5320 DSS60601 DSS5220 DSS60600
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3A 300mV @ 600mA, 6A 390mV @ 200mA, 2A 350mV @ 600mA, 6A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO)
Transistor-Typ PNP NPN PNP PNP
Leistung - max 600 mW 1.2 W 600 mW 1.2 W
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-223-3 SOT-563 SOT-223-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 6 A 2 A 6 A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 1A, 2V 120 @ 1A, 2V 155 @ 1A, 2V 120 @ 1A, 2V
Frequenz - Übergang 180MHz 100MHz 150MHz 100MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 60 V 20 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DSS5320T-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DSS5320T-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DSS5320T-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Layer Add 26/Nov/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Wafer Source 03/May/2023.pdf
Datenblätter
DSS5320T.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DSS5320T-7

Diodes Incorporated
32D-DSS5320T-7

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