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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDSS60600MZ4-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DSS60600MZ4-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DSS60600MZ4-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DSS60600MZ4-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 60V 6A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DSS60600MZ4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 223870

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Anzahl

Spezifikation

DSS60600MZ4-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DSS60600MZ4-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DSS60600MZ4-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 1.2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A  
Grundproduktnummer DSS60600  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DSS60600MZ4-13.

Produkteigenschaften DSS60600MZ4-13 DSS5240V-7 DSS5240T-7 DSS60601MZ4-13
Artikelnummer DSS60600MZ4-13 DSS5240V-7 DSS5240T-7 DSS60601MZ4-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A 530mV @ 200mA, 2A 350mV @ 200mA, 2A 300mV @ 600mA, 6A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 40 V 40 V 60 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A 1.8 A 2 A 6 A
Grundproduktnummer DSS60600 DSS5240 DSS5240 DSS60601
Leistung - max 1.2 W 600 mW 600 mW 1.2 W
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Transistor-Typ PNP PNP PNP NPN
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1A, 2V 300 @ 100mA, 5V 210 @ 1A, 2V 120 @ 1A, 2V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-563 SOT-23-3 SOT-223-3
Frequenz - Übergang 100MHz 150MHz 100MHz 100MHz
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA SOT-563, SOT-666 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA

DSS60600MZ4-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DSS60600MZ4-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DSS60600MZ4-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 28/Feb/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
DSS60600MZ4.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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