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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDZT658-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DZT658-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DZT658-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DZT658-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DZT658.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4270

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Anzahl

Spezifikation

DZT658-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DZT658-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DZT658-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 200mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DZT658  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DZT658-13.

Produkteigenschaften DZT658-13 DZT953-13 DZT5551-13 DZT853-13
Artikelnummer DZT658-13 DZT953-13 DZT5551-13 DZT853-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 10nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 50MHz 125MHz 300MHz 130MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 5 A 600 mA 6 A
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Transistor-Typ NPN PNP NPN NPN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 200mA, 10V 100 @ 1A, 1V 80 @ 10mA, 5V 100 @ 2A, 2V
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 1 W
Grundproduktnummer DZT658 DZT953 DZT5551 DZT853
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 100 V 160 V 100 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 420mV @ 400mA, 4A 200mV @ 5mA, 50mA 340mV @ 500mA, 5A
Serie - - - -

DZT658-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DZT658-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DZT658-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 16/Oct/2020.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DZT658.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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