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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDZT5551Q-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DZT5551Q-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DZT5551Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DZT5551Q-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DZT5551Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 201390

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Anzahl

Spezifikation

DZT5551Q-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DZT5551Q-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DZT5551Q-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer DZT5551  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DZT5551Q-13.

Produkteigenschaften DZT5551Q-13 DZT2907A-13 DZT3150-13 DZT2222A-13
Artikelnummer DZT5551Q-13 DZT2907A-13 DZT3150-13 DZT2222A-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 2 W 1 W 1 W 1 W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Frequenz - Übergang 300MHz 200MHz 150MHz 300MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 100 @ 150mA, 10V 250 @ 500mA, 2V 100 @ 150mA, 10V
Grundproduktnummer DZT5551 DZT2907 DZT3150 DZT2222
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 1.6V @ 50mA, 500mA 500mV @ 200mA, 4A 1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 5 A 600 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA (ICBO) 10nA (ICBO) 1µA (ICBO) 10nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Transistor-Typ NPN PNP NPN NPN
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160 V 60 V 25 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DZT5551Q-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DZT5551Q-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DZT5551Q-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Rev 8/May/2020.pdf
Datenblätter
DZT5551Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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