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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZX3CD2S1M832TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZX3CD2S1M832TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZX3CD2S1M832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZX3CD2S1M832TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 3.5A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
ZX3CD2S1M832TA.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 75000

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Spezifikation

ZX3CD2S1M832TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZX3CD2S1M832TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZX3CD2S1M832TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3.5A  
Transistor-Typ PNP + Diode (Isolated)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (2x3)  
Serie -  
Leistung - max 3W  
Verpackung Cut Tape (CT)  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Andere Namen ZX3CD2S1M832CT  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Frequenz - Übergang 180MHz  
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 20V 3.5A 180MHz 3W Surface Mount 8-MLP (2x3)  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 150 @ 2A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3.5A  
Basisteilenummer ZX3CD2S1M832  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZX3CD2S1M832TA.

Produkteigenschaften ZX3CD2S1M832TA BC856AMTF BSP50E6327 2SC4571-T1-A
Artikelnummer ZX3CD2S1M832TA BC856AMTF BSP50E6327 2SC4571-T1-A
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Infineon Technologies Renesas Electronics America Inc
Transistor-Typ PNP + Diode (Isolated) PNP NPN - Darlington -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 20V 3.5A 180MHz 3W Surface Mount 8-MLP (2x3) - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20V 65 V 45 V -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 150 @ 2A, 2V 110 @ 2mA, 5V 2000 @ 500mA, 10V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (2x3) SOT-23-3 PG-SOT223-4 -
Basisteilenummer ZX3CD2S1M832 - - -
Serie - - - *
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA -
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA 15nA (ICBO) 10µA -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3.5A 650mV @ 5mA, 100mA 1.8V @ 1mA, 1A -
Verpackung Cut Tape (CT) - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3.5A 100 mA 1 A -
Leistung - max 3W 310 mW 1.5 W -
Andere Namen ZX3CD2S1M832CT - - -
Frequenz - Übergang 180MHz 150MHz 200MHz -

ZX3CD2S1M832TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZX3CD2S1M832TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZX3CD2S1M832TA - Diodes Incorporated herunter.

Datenblätte
ZX3CD2S1M832TA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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