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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXM64N035GTA
Diodes Incorporated
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ZXM64N035GTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXM64N035GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXM64N035GTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
ZXM64N035G MOSFET.pdf
vorrätig: 5360

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Anzahl

Spezifikation

ZXM64N035GTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXM64N035GTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXM64N035GTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta), 6.7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXM64N035GTA.

Produkteigenschaften ZXM64N035GTA ZXM64N03XTA ZXM64N02XTA ZXM64P035GTA
Artikelnummer ZXM64N035GTA ZXM64N03XTA ZXM64N02XTA ZXM64P035GTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 8-MSOP 8-MSOP SOT-223-3
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 2W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35 V 30 V 20 V 35 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 1100 pF @ 15 V 825 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 16 nC @ 4.5 V 46 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) TO-261-4, TO-261AA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.7A, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 4.5V 75mOhm @ 2.4A, 10V
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 5A (Ta) 5.4A (Ta) 3.8A (Ta), 5.3A (Tc)

ZXM64N035GTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXM64N035GTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXM64N035GTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXM64N035G MOSFET.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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