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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXM64N03XTA
Diodes Incorporated
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ZXM64N03XTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXM64N03XTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXM64N03XTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
ZXM64N03XTC.pdf
vorrätig: 4100

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Spezifikation

ZXM64N03XTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXM64N03XTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXM64N03XTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXM64N03XTA.

Produkteigenschaften ZXM64N03XTA ZXM64N035GTA ZXM64P035GTA ZXM64N02XTA
Artikelnummer ZXM64N03XTA ZXM64N035GTA ZXM64P035GTA ZXM64N02XTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 35 V 35 V 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 3.8A (Ta), 5.3A (Tc) 5.4A (Ta)
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 1.1W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP SOT-223-3 SOT-223-3 8-MSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 16 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V 50mOhm @ 3.7A, 10V 75mOhm @ 2.4A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 825 pF @ 25 V 1100 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

ZXM64N03XTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXM64N03XTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXM64N03XTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXM64N03XTC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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