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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMC3A16DN8QTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMC3A16DN8QTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMC3A16DN8QTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMC3A16DN8QTA.pdf
vorrätig: 48320

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Spezifikation

ZXMC3A16DN8QTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V  
Leistung - max 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)  
Konfiguration N and P-Channel Complementary  
Grundproduktnummer ZXMC3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8QTA.

Produkteigenschaften ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TC
Artikelnummer ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V 600pF @ 25V 796pF @ 25V 796pF @ 25V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3
Konfiguration N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Leistung - max 1.25W (Ta) 1.25W 1.25W 1.25W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta) 4.1A, 3.4A 4.9A, 4.1A 4.9A, 4.1A
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V 12.2nC @ 10V 17.5nC @ 10V 17.5nC @ 10V

ZXMC3A16DN8QTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMC3A16DN8QTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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