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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMC3A17DN8TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMC3A17DN8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMC3A17DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMC3A17DN8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMC3A17DN8TC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52460

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Anzahl

Spezifikation

ZXMC3A17DN8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMC3A17DN8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMC3A17DN8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A, 3.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer ZXMC3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TA.

Produkteigenschaften ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A18DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TC
Artikelnummer ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A18DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A, 3.4A 5.8A, 4.8A 4.9A, 4.1A 4.9A, 4.1A
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V 1800pF @ 25V 796pF @ 25V 796pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V 36nC @ 10V 17.5nC @ 10V 17.5nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V 25mOhm @ 5.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Leistung - max 1.25W 1.8W 1.25W 1.25W
Grundproduktnummer ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel

ZXMC3A17DN8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMC3A17DN8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMC3A17DN8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMC3A17DN8TC.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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